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Référence fabricant | MT49H16M18BM-25:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT49H16M18BM-25:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT49H16M18BM-25:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | DRAM |
Taille mémoire | 288Mb (16M x 18) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 144-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 144-µBGA (18.5x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18BM-25:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT49H16M18BM-25:B TR-FT |
MT47H256M8EB-187E:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-187E:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E XIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-3:C
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-3:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8THN-25E:M
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation