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Référence fabricant | MT47H256M8EB-25E XIT:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M8EB-25E XIT:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M8EB-25E XIT:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (9x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E XIT:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M8EB-25E XIT:C-FT |
MT46H256M32L4JV-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel