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Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-187E:C

Numéro de pièce MFG
MT47H256M8EB-187E:C
quantité disponible
98510 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
- IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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MT47H256M8EB-187E:C Caractéristiques

Référence fabricant MT47H256M8EB-187E:C
Numéro de pièce future FT-MT47H256M8EB-187E:C
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MT47H256M8EB-187E:C Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR2
Taille mémoire 2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge 533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 350ps
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur 60-FBGA (9x11.5)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT47H256M8EB-187E:C Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MT47H256M8EB-187E:C-FT

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