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Référence fabricant | MT47H256M8THN-25E IT:H |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M8THN-25E IT:H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M8THN-25E IT:H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8THN-25E IT:H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M8THN-25E IT:H-FT |
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-48 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AT:B
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
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Intel
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Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel