maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT46V32M16P-5B:J TR
Référence fabricant | MT46V32M16P-5B:J TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V32M16P-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V32M16P-5B:J TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16P-5B:J TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V32M16P-5B:J TR-FT |
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation