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Micron Technology Inc. NAND04GW3B2DN6E

Numéro de pièce MFG
NAND04GW3B2DN6E
quantité disponible
98200 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NAND04GW3B2DN6E.pdf
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NAND04GW3B2DN6E Caractéristiques

Référence fabricant NAND04GW3B2DN6E
Numéro de pièce future FT-NAND04GW3B2DN6E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NAND04GW3B2DN6E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire Non-Volatile
Format de mémoire FLASH
La technologie FLASH - NAND
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 25ns
Temps d'accès 25ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 48-TSOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND04GW3B2DN6E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NAND04GW3B2DN6E-FT

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