maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Référence fabricant | MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR-FT |
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB90N1
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel