maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Référence fabricant | MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Gb (32G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR-FT |
M29W640FB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB90NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel