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| Référence fabricant | NAND04GR3B2DN6E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NAND04GR3B2DN6E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NAND04GR3B2DN6E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Fréquence d'horloge | - |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
| Temps d'accès | 25ns |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NAND04GR3B2DN6E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NAND04GR3B2DN6E-FT |

MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAABWP-12Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G08AAAWP TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.

A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation

EP1AGX35CF484C6
Intel

10AX022E4F27E3LG
Intel

EP4SGX530KH40C2
Intel

EP4SE820H35I3
Intel

XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.

XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.

AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation