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Référence fabricant | NAND01GW3B2CN6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND01GW3B2CN6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND01GW3B2CN6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND01GW3B2CN6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND01GW3B2CN6E-FT |
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJAABWP-12:A
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel