maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F1G08ABADAWP:D TR
Référence fabricant | MT29F1G08ABADAWP:D TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F1G08ABADAWP:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F1G08ABADAWP:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABADAWP:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F1G08ABADAWP:D TR-FT |
M29W400DT55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400FB55N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB90NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel