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Référence fabricant | MT46V128M4TG-5B:F TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V128M4TG-5B:F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V128M4TG-5B:F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4TG-5B:F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V128M4TG-5B:F TR-FT |
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F4AN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2SNXE
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel