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Référence fabricant | NAND256W3A2BNXE |
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Numéro de pièce future | FT-NAND256W3A2BNXE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND256W3A2BNXE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256W3A2BNXE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND256W3A2BNXE-FT |
MT29F2G08AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel