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Référence fabricant | NAND128W3A2BNXE |
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Numéro de pièce future | FT-NAND128W3A2BNXE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND128W3A2BNXE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 128Mb (16M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND128W3A2BNXE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND128W3A2BNXE-FT |
MT29F2G08AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
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Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel