maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Référence fabricant | MT29F2G08AADWP-ET:D TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08AADWP-ET:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08AADWP-ET:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08AADWP-ET:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08AADWP-ET:D TR-FT |
M29W800DB70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB70N6T TR
Micron Technology Inc.
M29W800DB90N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT45N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel