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Référence fabricant | NAND16GW3D2BN6E |
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Numéro de pièce future | FT-NAND16GW3D2BN6E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND16GW3D2BN6E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 16Gb (2G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND16GW3D2BN6E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND16GW3D2BN6E-FT |
MT29F2G08AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AACWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel