maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT46V128M4P-75:D
Référence fabricant | MT46V128M4P-75:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V128M4P-75:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V128M4P-75:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 750ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 66-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-75:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V128M4P-75:D-FT |
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel