maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D
Référence fabricant | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 32Gb (4G x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D-FT |
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel