maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
Référence fabricant | MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR-FT |
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25080DWHFT3G
ON Semiconductor
SST26VF016-80-5I-QAE
Microchip Technology
AT28C256F-15LM/883-815
Microchip Technology
AT88SC0104CA-MP
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AT88SC0104CA-MPTG
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AT88SC0204CA-MJ
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AT88SC0204CA-MJTG
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AT88SC0204CA-MP
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AT88SC0204CA-MPTG
Microchip Technology
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel