maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29E512G08CMCCBH7-6:C
Référence fabricant | MT29E512G08CMCCBH7-6:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT29E512G08CMCCBH7-6:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29E512G08CMCCBH7-6:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E512G08CMCCBH7-6:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29E512G08CMCCBH7-6:C-FT |
NV25080DWHFT3G
ON Semiconductor
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