maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29E768G08EEHBBJ4-3:B
Référence fabricant | MT29E768G08EEHBBJ4-3:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29E768G08EEHBBJ4-3:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 768Gb (96G x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29E768G08EEHBBJ4-3:B-FT |
AT88SC0104CA-MPTG
Microchip Technology
AT88SC0204CA-MJ
Microchip Technology
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AT88SC0204CA-MP
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Microchip Technology
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AT88SC0404CA-MJ
Microchip Technology
AT88SC0404CA-MJTG
Microchip Technology
AT88SC0404CA-MP
Microchip Technology
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel