maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / MP6M11TCR
Référence fabricant | MP6M11TCR |
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Numéro de pièce future | FT-MP6M11TCR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MP6M11TCR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | MPT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MP6M11TCR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MP6M11TCR-FT |
SQJ204EP-T1_GE3
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XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel