maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448V-TP
Référence fabricant | MMBD4448V-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448V-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448V-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448V-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448V-TP-FT |
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT1G
ON Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
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5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
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10M02DCV36I7G
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