maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448V-TP
Référence fabricant | MMBD4448V-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448V-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448V-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448V-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448V-TP-FT |
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT1G
ON Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel