maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVHP820MFDT1G
Référence fabricant | NRVHP820MFDT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVHP820MFDT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
NRVHP820MFDT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVHP820MFDT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVHP820MFDT1G-FT |
MBRD640CT
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MBRD650CT1
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MBRD650CTT4
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Xilinx Inc.
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