maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVHP8H200MFDT1G
Référence fabricant | NRVHP8H200MFDT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NRVHP8H200MFDT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
NRVHP8H200MFDT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVHP8H200MFDT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVHP8H200MFDT1G-FT |
MBRD620CTT4
ON Semiconductor
MBRD630CTT4
ON Semiconductor
MBRD640CT
ON Semiconductor
MBRD650CT1
ON Semiconductor
MBRD650CTT4
ON Semiconductor
MBRD660CTRL
ON Semiconductor
MBRD660CTT4
ON Semiconductor
MSRD620CT
ON Semiconductor
MURD610CTT4
ON Semiconductor
MURD620CT1
ON Semiconductor
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel