maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVHP8H200MFDT3G
Référence fabricant | NRVHP8H200MFDT3G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NRVHP8H200MFDT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ |
NRVHP8H200MFDT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVHP8H200MFDT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVHP8H200MFDT3G-FT |
SBRV640VCTT4G
ON Semiconductor
SBRV660VCTT4G
ON Semiconductor
SSRD8620CTRG-VF01
ON Semiconductor
MBRD1035CTL
ON Semiconductor
MBRD1035CTLT4
ON Semiconductor
MBRD620CTT4
ON Semiconductor
MBRD630CTT4
ON Semiconductor
MBRD640CT
ON Semiconductor
MBRD650CT1
ON Semiconductor
MBRD650CTT4
ON Semiconductor
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation