maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MMBD4448HTA-TP
Référence fabricant | MMBD4448HTA-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MMBD4448HTA-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MMBD4448HTA-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 70V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD4448HTA-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MMBD4448HTA-TP-FT |
NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP820MFDWFT1G
ON Semiconductor
BAS21DW5T1G
ON Semiconductor
SBAS21DW5T1G
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SBAS21DW5T3G
ON Semiconductor
SBE808-TL-W
ON Semiconductor
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel