maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SBAS21DW5T1G
Référence fabricant | SBAS21DW5T1G |
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Numéro de pièce future | FT-SBAS21DW5T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SBAS21DW5T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBAS21DW5T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SBAS21DW5T1G-FT |
MBRD660CTT4
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MSRD620CT
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Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
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A54SX08A-FPQG208
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AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel