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Référence fabricant | MLZ2012M6R8HT |
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Numéro de pièce future | FT-MLZ2012M6R8HT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MLZ |
MLZ2012M6R8HT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 350mA |
Courant - Saturation | 220mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 400 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.049" (1.25mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MLZ2012M6R8HT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MLZ2012M6R8HT-FT |
NLCV25T-220K-EF
TDK Corporation
NLCV25T-220K-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-2R2M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-2R2M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-2R2M-EFRD
TDK Corporation
NLCV25T-330K-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EF
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFD
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFR
TDK Corporation
NLCV25T-3R3M-EFRD
TDK Corporation
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation