Référence fabricant | MDB8S |
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Numéro de pièce future | FT-MDB8S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDB8S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-MicroDIP/SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDB8S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDB8S-FT |
GBPC5002W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5004W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5006W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
GBPC2508T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
GBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
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A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel