maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC5010W
Référence fabricant | GBPC5010W |
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Numéro de pièce future | FT-GBPC5010W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC5010W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-W |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC-W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC5010W-FT |
VBO13-14NO2
IXYS
VBO20-12AO2
IXYS
VBO68-16NO7
IXYS
VBE55-06NO7
IXYS
VBE17-12NO7
IXYS
VBO40-08NO6
IXYS
VBE60-06A
IXYS
VBO40-12NO6
IXYS
VBO40-16NO6
IXYS
DMA150YA1600NA
IXYS
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel