maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC5010W
Référence fabricant | GBPC5010W |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GBPC5010W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC5010W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-W |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC-W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC5010W-FT |
VBO13-14NO2
IXYS
VBO20-12AO2
IXYS
VBO68-16NO7
IXYS
VBE55-06NO7
IXYS
VBE17-12NO7
IXYS
VBO40-08NO6
IXYS
VBE60-06A
IXYS
VBO40-12NO6
IXYS
VBO40-16NO6
IXYS
DMA150YA1600NA
IXYS
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel