maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBE55-06NO7
Référence fabricant | VBE55-06NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBE55-06NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBE55-06NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 68A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.57V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC1 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE55-06NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBE55-06NO7-FT |
DB105-BP
Micro Commercial Co
DB106-BP
Micro Commercial Co
DB103-BP
Micro Commercial Co
DB102-BP
Micro Commercial Co
DB101-BP
Micro Commercial Co
DB101
Micro Commercial Co
DB102
Micro Commercial Co
DB103
Micro Commercial Co
DB104
Micro Commercial Co
DB105
Micro Commercial Co
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
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EP4SGX290KF43I4N
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EP3SL200F1152C3N
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XC4VFX100-10FF1152C
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XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel