maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DB105-BP
Référence fabricant | DB105-BP |
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Numéro de pièce future | FT-DB105-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB105-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB105-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB105-BP-FT |
MB251W-BP
Micro Commercial Co
MB3510W-BP
Micro Commercial Co
MB154W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W-BP
Micro Commercial Co
MB1505W
Micro Commercial Co
MB1510W
Micro Commercial Co
MB1510W-BP
Micro Commercial Co
MB151W
Micro Commercial Co
MB151W-BP
Micro Commercial Co
MB152W
Micro Commercial Co
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
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