maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / VBE17-12NO7
Référence fabricant | VBE17-12NO7 |
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Numéro de pièce future | FT-VBE17-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VBE17-12NO7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 19A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.92V @ 10A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 60µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | ECO-PAC1 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBE17-12NO7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBE17-12NO7-FT |
DB106-BP
Micro Commercial Co
DB103-BP
Micro Commercial Co
DB102-BP
Micro Commercial Co
DB101-BP
Micro Commercial Co
DB101
Micro Commercial Co
DB102
Micro Commercial Co
DB103
Micro Commercial Co
DB104
Micro Commercial Co
DB105
Micro Commercial Co
DB106
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel