maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC2510T
Référence fabricant | GBPC2510T |
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Numéro de pièce future | FT-GBPC2510T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC2510T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC2510T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC2510T-FT |
VBO40-08NO6
IXYS
VBE60-06A
IXYS
VBO40-12NO6
IXYS
VBO40-16NO6
IXYS
DMA150YA1600NA
IXYS
DMA150YC1600NA
IXYS
VUO190-14NO7
IXYS
VBO13-08NO2
IXYS
VBO13-12NO2
IXYS
VBO13-16NO2
IXYS
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation