maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC5008W
Référence fabricant | GBPC5008W |
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Numéro de pièce future | FT-GBPC5008W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC5008W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-W |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC-W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5008W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC5008W-FT |
VBO13-14AO2
IXYS
VBO13-14NO2
IXYS
VBO20-12AO2
IXYS
VBO68-16NO7
IXYS
VBE55-06NO7
IXYS
VBE17-12NO7
IXYS
VBO40-08NO6
IXYS
VBE60-06A
IXYS
VBO40-12NO6
IXYS
VBO40-16NO6
IXYS
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel