Référence fabricant | MDB10S |
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Numéro de pièce future | FT-MDB10S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDB10S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-MicroDIP/SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDB10S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDB10S-FT |
GBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
GBPC2508T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2504T
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GBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
GBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
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GBL005
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GBL02
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EPF10K50ETC144-2
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XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
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A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
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XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
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LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
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EP20K1000EBC652-1X
Intel