Référence fabricant | MDB10S |
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Numéro de pièce future | FT-MDB10S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MDB10S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-MicroDIP/SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MDB10S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MDB10S-FT |
GBPC5008W
GeneSiC Semiconductor
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor
GBPC2508T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
GBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
GeneSiC Semiconductor
GBL005
GeneSiC Semiconductor
GBL02
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2280E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQI
Microchip Technology
EP1K50FC484-1
Intel
EP20K160EFC484-1
Intel
EP4S100G4F45I2
Intel
XC5VLX110T-2FF1738C
Xilinx Inc.
EP1AGX60DF780C6N
Intel