maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB20H100CTGHE3/4
Référence fabricant | MBRB20H100CTGHE3/4 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRB20H100CTGHE3/4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB20H100CTGHE3/4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB20H100CTGHE3/4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB20H100CTGHE3/4-FT |
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPB6BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel