maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB16JTHE3/81
Référence fabricant | FEPB16JTHE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB16JTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB16JTHE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16JTHE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB16JTHE3/81-FT |
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel