maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB6BTHE3/45
Référence fabricant | FEPB6BTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB6BTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB6BTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB6BTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB6BTHE3/45-FT |
25CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation