maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB6BTHE3/45
Référence fabricant | FEPB6BTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB6BTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB6BTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB6BTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB6BTHE3/45-FT |
25CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-2TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
A42MX16-VQ100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256C6
Intel
5SGXMA7H3F35C2LN
Intel
XC7VX415T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel