maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / FEPB16JTHE3/45
Référence fabricant | FEPB16JTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-FEPB16JTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FEPB16JTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEPB16JTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FEPB16JTHE3/45-FT |
20CTH03STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
25CTQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel