maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MB85RC16VPNF-G-JNERE1
Référence fabricant | MB85RC16VPNF-G-JNERE1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MB85RC16VPNF-G-JNERE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RC16VPNF-G-JNERE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 550ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 3V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC16VPNF-G-JNERE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RC16VPNF-G-JNERE1-FT |
GD25LQ256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q256DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25S512MDYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel