maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / GD25Q256DYIGR
Référence fabricant | GD25Q256DYIGR |
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Numéro de pièce future | FT-GD25Q256DYIGR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD25Q256DYIGR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | 104MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50µs, 2.4ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q256DYIGR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD25Q256DYIGR-FT |
71V416L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
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