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Référence fabricant | GD5F1GQ4UFYIGY |
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Numéro de pièce future | FT-GD5F1GQ4UFYIGY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GD5F1GQ4UFYIGY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 120MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 700µs |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI - Quad I/O |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD5F1GQ4UFYIGY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GD5F1GQ4UFYIGY-FT |
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S20PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc