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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR

Numéro de pièce MFG
GD25S512MDYIGR
quantité disponible
53600 Pièces
Prix de référence
USD 4.14784
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Brève description
- NOR FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
GD25S512MDYIGR.pdf
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GD25S512MDYIGR Caractéristiques

Référence fabricant GD25S512MDYIGR
Numéro de pièce future FT-GD25S512MDYIGR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
GD25S512MDYIGR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de mémoire FLASH
La technologie FLASH - NOR
Taille mémoire 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge 104MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 50µs, 2.4ms
Temps d'accès -
Interface mémoire SPI - Quad I/O
Tension - Alimentation 2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 8-WSON (6x8)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GD25S512MDYIGR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange GD25S512MDYIGR-FT

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