Référence fabricant | MB352W |
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Numéro de pièce future | FT-MB352W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB352W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, MB-W |
Package d'appareils du fournisseur | MB-W |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB352W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB352W-FT |
GBU4D
ON Semiconductor
GBU6M
ON Semiconductor
GBU4K
ON Semiconductor
GBU8K
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GBU6J
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GBU4B
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GBPC3502T
GeneSiC Semiconductor
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DFB2560
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
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EP4CE22F17C8LN
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Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
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LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
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