Référence fabricant | GBU4D |
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Numéro de pièce future | FT-GBU4D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBU4D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 4A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU4D-FT |
DFB2010
ON Semiconductor
DFB2510
ON Semiconductor
DFB2520
ON Semiconductor
DFB2505
ON Semiconductor
KBU4A
ON Semiconductor
KBU4B
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KBU4D
ON Semiconductor
KBU4G
ON Semiconductor
KBU4J
ON Semiconductor
KBU4K
ON Semiconductor
LCMXO2280E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1440A-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQI
Microchip Technology
EP1K50FC484-1
Intel
EP20K160EFC484-1
Intel
EP4S100G4F45I2
Intel
XC5VLX110T-2FF1738C
Xilinx Inc.
EP1AGX60DF780C6N
Intel