Référence fabricant | DFB2510 |
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Numéro de pièce future | FT-DFB2510 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DFB2510 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-6P |
Package d'appareils du fournisseur | TS-6P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2510 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFB2510-FT |
GUO40-12NO1
IXYS
FUO22-12N
IXYS
FBS16-06SC
IXYS
DD170N16SHPSA1
Infineon Technologies
GHXS030A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D1
Global Power Technologies Group
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel