maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GHXS030A120S-D1
Référence fabricant | GHXS030A120S-D1 |
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Numéro de pièce future | FT-GHXS030A120S-D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GHXS030A120S-D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 30A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GHXS030A120S-D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GHXS030A120S-D1-FT |
VUO62-08NO7
IXYS
VUO62-12NO7
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VUO62-16NO7
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VBO52-14NO7
IXYS
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation