Référence fabricant | DFB2010 |
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Numéro de pièce future | FT-DFB2010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DFB2010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 20A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, TS-6P |
Package d'appareils du fournisseur | TS-6P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB2010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DFB2010-FT |
FUO50-16N
IXYS
GUO40-12NO1
IXYS
FUO22-12N
IXYS
FBS16-06SC
IXYS
DD170N16SHPSA1
Infineon Technologies
GHXS030A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS010A060S-D1E
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1
Global Power Technologies Group
GHXS015A120S-D1E
Global Power Technologies Group
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation